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    行业资讯

    三星首亮相2纳米弯道超车台积?

    南韩科技大厂三星电子与全球晶圆代工龙头台积电为目前实际拥有最顶尖的先进制程技术的厂商,三星电子则是在周三(7日) 在2021年三星晶圆代工论坛表示,准备2025年量产2纳米制程,颇有叫战台积电意味。不过,依照过往三星给出的先进制程时程表,也不足以证明三星能顺利弯道超车。

    三星在先前的先进制程时程表指出,本来2021年就要投产3纳米制程,但在论坛上提及,要全面转移至最新价购技术难度相当高,2022年上半年才会推出3纳米制程,虽然相较于台积电3纳米制程同年下半年才会推出,但台积电7月法说指出,主要是配合客户时程。目前三星晶圆代工主要客户包括美国半导体巨头高通、伺服器处理器供应商IBM、显卡大厂NVIDIA,以及自家的处理器晶片。

    三星集团实际领导人、三星电子副会长李在镕8月假释出狱后,立即宣布未来3年投入240兆韩圜(约2050亿美元) ,巩固该公司在后疫情时代科技产业的优势地位,甚至称该公司下一代制程节点3纳米制程采用环绕闸极技术(Gate-All-AroundGAA)不会输给竞争对手、也就是台积电。

    三星3纳米制程研发规划分为2个阶段,第一代的GAA GAE(GAA-Early)与第二代3纳米GAP(GAA-Plus),2019年称3纳米GAE制程2020年底前展开风险试产,2021年开始量产,但目前未见踪影,外界认为将延迟到2023年才会量产,但三星目前宣布将在2022年上半年投产。

    三星就算宣称3纳米正式流片,预计2022年上半年量产,但跟先前IBM宣称推出全球首款2纳米GAA技术,虽然证实技术的可行性,重点仍在于制程的良率问题,能否脱离实验室大规模量产,从5纳米制程来看,去年采用三星5纳米制程的高通Snapdragon 888就出现过热问题,也输给台积电5纳米制程的苹果A14、M1晶片效能表现,今年苹果A15 晶片效能更远胜S888。

    三星也强调,与5纳米制程相比,三星首颗3纳米制程GAA技术晶片面积将缩小35%,性能提高30% 或功耗降低50%。三星也表示3纳米制程良率正在逼近4纳米制程,预计2022 年推出第一代3 纳米3GAE 技术,,2023 年推出新一代3 纳米3GAP技术,2025 年2 纳米2GAP 制程投产。

    然而,根据台积电年报资讯,3 纳米基于EUV技术展现优异的光学能力,与符合预期的晶片良率,以减少曝光机光罩缺陷及制程堆叠误差,并降低整体成本,2 纳米及更先进制程上将着重于改善极紫外光技术的品质与成本。

    台积电积极与半导体设备生产商、荷商艾司摩尔合作在EUV机台的紧密合作,不仅取得机台数量较为优势,设备技术的开发更至关重要,这也是台积电能超越三星、英特尔的关键原因之一,后2者也频以将大规模运用EUV曝光机投入产线,英特尔甚至宣布4纳米制程将采用高数值孔径(High NA)EUV微影技术,这也是ASML新一代半导体生产设备,显示EUV技术在先进制程的关键地位。

    除了台积电、三星,英特尔今年宣布重返晶圆代工业务,并在今年7月正式宣布推出先进制程技术蓝图,计画在未来4年推出5个新世代晶片制程技术,并宣布将原本的10 纳米Enhanced SuperFin正名为Intel 7,原先的7纳米正名为Intel 4,之后分别为Intel 3、Intel 20A、Intel 18A 等,也就是说2025年就会达到2纳米制程的领域,并追赶超越台积电。

    但依照目前市况来看,台积电市占率依旧稳坐50%以上的龙头宝座,也有苹果等大客户支撑先进制程研发,最新消息指出,IC设计公司Marvell宣布采用台积电3纳米制程的全新先进技术平台,预料仍由苹果抢下首波产能,甚至英特尔也可能下单,比喊出何时投产更为重要。

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